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比較下列多電子原子的原子軌道的能量高低: 3s.3p.3d (3) 2p.3p.4p 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（12分）【化學——物質結構與性質】
氮族元素包括N、P、As、Sb和Bi五種元素。
（1）下列關于氮族元素的說法正確的是       。

A．N2可用于填充霓虹燈。其發(fā)光原理是電子從能量較低的軌道躍遷到能量較高的軌道，以光的形式釋放能量
B．P、Na、S三種元素的第一電離能由大到小的順序是：P>S>Na
C．基態(tài)As原子中，電子占據(jù)的最高能級為4d
D．Bi原子中最外層有5個能量相同的電子
（2）NH3在水中的溶解度比PH3大得多，其原因是          。向硫酸銅溶液中加入過量氨水，然后加入適量乙醇，溶液中析出深藍色的[Cu(NH3)4]SO4晶體。該晶體中含有的化學鍵除普通的共價鍵外，還有        和        。
（3）PCl3分子中，Cl－P－Cl鍵的鍵角____      109o28’（填“>”“<”或“=”）。
（4）白磷（P4）是磷的一種單質，它屬于分子晶體，其晶胞結構如圖。己知該晶體的密度為g·cm－3，晶胞的邊長為acm，則阿伏加德羅常數(shù)為__    mol-l（用含ρ、a的式子表示）。

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ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途．請回答下列問題：

（1）S單質的常見形式是S8，其環(huán)狀結構如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
；
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為
O＞S＞Se
O＞S＞Se
；
（3）Se的原子序數(shù)為
34
34
，其核外M層電子的排布式為
3s23p63d10
3s23p63d10
；
（4）H2Se的酸性比 H2S
強
強
（填“強”或“弱”）．氣態(tài)SeO3分子的立體構型為
平面三角形
平面三角形
，
SO
2-
3
離子的立體構型為
三角錐形
三角錐形
；
（5）H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4的第一步幾乎完全電離，K2是1.2×10-2，請根據(jù)結構與性質的關系解釋：
①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因：
第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子
第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子
；
②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因：
H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價，而H2SeO4中Se為+6價，正電性更高．導致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價，而H2SeO4中Se為+6價，正電性更高．導致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
．
（6）ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛．立方ZnS晶體結構如圖2所示，其晶胞邊長為540.0pm，密度為
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
g?cm-3（列式并計算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
270.0
1-cos109°28′
或
135.0×
2
sin
109°28′
2
或135
3
270.0
1-cos109°28′
或
135.0×
2
sin
109°28′
2
或135
3
pm（列式表示）

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[化學-選修3：物質結構與性質]
硅是重要的半導體材料，構成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎．請回答下列問題：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為
M
M
，該能層具有的原子軌道數(shù)為
9
9
、電子數(shù)為
4
4
．
（2）硅主要以硅酸鹽、
二氧化硅
二氧化硅
等化合物的形式存在于地殼中．
（3）單質硅存在與金剛石結構類似的晶體，其中原子與原子之間以
共價鍵
共價鍵
相結合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻
3
3
個原子．
（4）單質硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應來制備．工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質中反應制得SiH4，該反應的化學方程式為
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
．
（5）碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關事實：
化學鍵 C-C C-H C-O Si-Si Si-H Si-O
鍵能/（kJ?mol-1） 356 413 336 226 318 452
①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多，原因是
C-C鍵和C-H鍵較強，所形成的烷烴穩(wěn)定．而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導致長鏈硅烷難以生成．
C-C鍵和C-H鍵較強，所形成的烷烴穩(wěn)定．而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導致長鏈硅烷難以生成．
．
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是
C-H鍵的鍵能大于C-O鍵，C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定．而Si-H鍵的鍵能卻遠小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵
C-H鍵的鍵能大于C-O鍵，C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定．而Si-H鍵的鍵能卻遠小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵
．
（6）在硅酸鹽中，SiO
 
4-
4
四面體（如下圖（a））通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網狀四大類結構型式．圖（b）為一種無限長單鏈結構的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為
sp3
sp3
，Si與O的原子數(shù)之比為
1：3
1：3
，化學式為
SiO32-
SiO32-
．

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原子序數(shù)依次遞增的甲、乙、丙、丁、戊是周期表中前30號元素，其中甲、乙、丙三元素的基態(tài)原子2p能級都有單電子，單電子個數(shù)分別是2、3、2；丁與戊原子序數(shù)相差18，戊元素是周期表中ds區(qū)的第一種元素。
回答下列問題：
（1）甲能形成多種常見單質，在熔點較低的單質中，每個分子周圍緊鄰的分子數(shù)___ ；在熔點很高的兩種常見單質中，X的雜化方式分別為            、                   。
（2）14g乙的單質分子中π鍵的個數(shù)為___________。
（3）+1價氣態(tài)基態(tài)陽離子再失去一個電子形成+2價氣態(tài)基態(tài)陽離子所需要的能量稱為第二電離能I2，依次還有I3、I4、I5…，推測丁元素的電離能突增應出現(xiàn)在第            電離能。
（4）戊的基態(tài)原子有                   種形狀不同的原子軌道；
（5）丙和丁形成的一種離子化合物的晶胞結構如下圖，該晶體中陽離子的配位數(shù)為          。距一個陰離子周圍最近的所有陽離子為頂點構成的幾何體為          。已知該晶胞的密度為ρ g/cm3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求晶胞邊長a=__________cm。 (用含ρ、NA的計算式表示)
（6）甲、乙都能和丙形成原子個數(shù)比為1：3的常見微粒，推測這兩種微粒的空間構型為_________。

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【化學－物質結構與性質】（15分）
原子序數(shù)依次遞增的甲、乙、丙、丁、戊是周期表中前30號元素，其中甲、乙、丙三元素的基態(tài)原子2p能級都有單電子，單電子個數(shù)分別是2、3、2；丁與戊原子序數(shù)相差18，戊元素是周期表中ds區(qū)的第一種元素�；卮鹣铝袉栴}：
（1）甲能形成多種常見單質，在熔點較低的單質中，每個分子周圍緊鄰的分子數(shù)為     ；在熔點很高的兩種常見單質中，X的雜化方式分別為       、        。
（2）14g乙的單質分子中π鍵的個數(shù)為___________。
（3）+1價氣態(tài)基態(tài)陽離子再失去一個電子形成+2價氣態(tài)基態(tài)陽離子所需要的能量稱為第
二電離能I2，依次還有I3、I4、I5…，推測丁元素的電離能突增應出現(xiàn)在第       電離能。
（4）戊的基態(tài)原子有       種形狀不同的原子軌道；
（5）丙和丁形成的一種離子化合物的晶胞結構如圖，該晶體中陽離子的配位數(shù)為         。距一個陰離子周圍最近的所有陽離子為頂點構成的幾何體為              。已知該晶胞的密度為ρ g/cm3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求晶胞邊長a=__________cm。 (用含ρ、NA的計算式表示)

（6）甲、乙都能和丙形成原子個數(shù)比為1：3的常見微粒，推測這兩種微粒的空間構型為      

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