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砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽�，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問題

（1）下列說法正確的是      ▲        （選填序號(hào)）。

A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同   B．第一電離能：As＞Ga

C．電負(fù)性:As＞Ga                D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素

E．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體

（2）砷化鎵是將(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制備得到， 該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為：           ▲            。

AsH₃空間形狀為：      ▲       (CH₃)₃Ga中鎵原子雜化方式為：      ▲      。

（3）Ga的核外電子排布式為：       ▲        。

（4）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其原因是：         ▲        。

砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽�，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問題

（1）下列說法正確的是              （選填序號(hào)）。

       A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同  

B．第一電離能：As＞Ga

       C．電負(fù)性:As＞Ga                    

D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素

E．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體

（2）砷化鎵是將（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制備得到， 該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為：                        。

AsH₃空間形狀為：             （CH₃）₃Ga中鎵原子雜化方式為：             。

（3）Ga的核外電子排布式為：                 。

（4）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其原因是：                  。

（12分）砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽�，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。試回答下列問題

（1）下列說法正確的是             （選填序號(hào)）。

A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同        B．第一電離能：As＞Ga

C．電負(fù)性:As＞Ga                          D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素

E．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體

（2）砷化鎵是將(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制備得到， 該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為：                      。

AsH₃空間形狀為：            (CH₃)₃Ga中鎵原子雜化方式為：            。

（3）Ga的核外價(jià)電子排布式為：              。

（4）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其原因是：                。

砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽�，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問題

（1）下列說法正確的是              （選填序號(hào)）。

              A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同  

B．第一電離能：As＞Ga

              C．電負(fù)性:As＞Ga                                                                                   

D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素

E．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體

（2）砷化鎵是將（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制備得到， 該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為：                       。

AsH₃空間形狀為：             （CH₃）₃Ga中鎵原子雜化方式為：             。

（3）Ga的核外電子排布式為：                 。

（4）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其原因是：                 。

砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽�，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問題

（1）下列說法正確的是             （選填序號(hào)）。
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同  
B．第一電離能：As＞Ga
C．電負(fù)性:As＞Ga                                                                                   
D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素
E．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制備得到，該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為：                       。
AsH₃空間形狀為：            （CH₃）₃Ga中鎵原子雜化方式為：            。
（3）Ga的核外電子排布式為：                。
（4）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其原因是：                 。