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利用雙縫干涉測定光的波長實(shí)驗(yàn)中，雙縫間距d=0.5mm，雙縫到光屏的距離L=0.5m，用某種單色光照射雙縫得到干涉圖象如圖，分劃板在圖中A、B位置時游標(biāo)卡尺讀數(shù)如圖，則A位置時游標(biāo)卡尺的讀數(shù)為，B位置時游標(biāo)卡尺的讀數(shù)為，該實(shí)驗(yàn)中所用的單色光的波長為．

利用雙縫干涉測定光的波長實(shí)驗(yàn)中，取雙縫間距d=0.5mm，雙縫光屏間距離L=0.5m，用某種單色光照射雙縫得到干涉圖象如圖，分劃板在圖中A、B位置時游標(biāo)卡尺讀數(shù)如圖，則B位置卡尺讀數(shù)是mm，單色光的波長為m．

（2006?南京一模）利用雙縫干涉測光的波長的實(shí)驗(yàn)中，雙縫間距d=0.4mm，雙縫到光屏間的距離l=0.5m，用某種單色光照射雙縫得到干涉條紋如圖所示，分劃板在圖中A、B位置時游標(biāo)卡尺讀數(shù)也由圖中所給出，則：

（1）分劃板在圖中A、B位置時游標(biāo)卡尺讀數(shù)分別為x_A=mm，x_B=mm，相鄰兩條紋間距△x=mm；
（2）波長的表達(dá)式λ=（用△x、l、d表示），該單色光的波長λ=m；
（3）若改用頻率較高的單色光照射，得到的干涉條紋間距將（填“變大”、“不變”或“變小”）．

利用雙縫干涉測定光的波長實(shí)驗(yàn)中，取雙縫間距d=0.5mm，雙縫與光屏間距離L=0.5m，用某種單色光照射雙縫得到干涉圖象如圖，分劃板在圖中A、B位置時游標(biāo)卡尺讀數(shù)如圖，則圖中A位置的游標(biāo)卡尺讀數(shù)為，B位置的游標(biāo)卡尺讀數(shù)為，單色光的波長為m．

（1）如圖所示，兩根足夠長、電阻不計(jì)的光滑平行金屬導(dǎo)軌相距為L=lm，導(dǎo)軌平面與水平面成θ=30°角，上端連接R=1.5Ω的電阻，質(zhì)量為m=0.2kg、阻值r=0.5Ω的金屬棒ab放在兩導(dǎo)軌上，與導(dǎo)軌垂直并接觸良好，距離導(dǎo)軌最上端d=4m，整個裝置處于勻強(qiáng)磁場中，磁場的方向垂直導(dǎo)軌平面向上．
①若磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5T，將金屬棒釋放，則金屬棒勻速
下滑時電阻R兩端的電壓為V；
②若磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小B隨時間變化的關(guān)系式為B=0.5t，在平行于斜面的外力作用下ab棒始終保持靜止，則當(dāng)t=s時外力恰好為零．
（2）利用雙縫干涉測定光的波長實(shí)驗(yàn)中，取雙縫間距d=0.5mm，雙縫與光屏間距離L=0.5m，用某種單色光照射雙縫得到干涉圖象如圖，分劃板在圖中A、B位置時游標(biāo)卡尺讀數(shù)如圖，則圖中A位置的游標(biāo)卡尺讀數(shù)為，B位置的游標(biāo)卡尺讀數(shù)為，單色光的波長為m．

（3）現(xiàn)有以下器材：電流表A（量程0.6A、內(nèi)阻r_A=0.5Ω），電阻箱R（量程99.99Ω），待測電阻R_x，直流電源（電動勢E和內(nèi)阻r待測），單刀單擲開關(guān)S₁，單刀雙擲開關(guān)S₂，帶鐵夾的導(dǎo)線若干．某探究實(shí)驗(yàn)小組設(shè)計(jì)如圖所示的實(shí)驗(yàn)電路，用來測定待測電阻的阻值R_x、直流電源的電動勢E和內(nèi)阻r．

①測量電阻R_x的阻值
i、將開關(guān)S₁閉合、開關(guān)S₂接a，讀出電流表的示數(shù)I₁
ii、保持開關(guān)S₁閉合，將開關(guān)S₂接b，調(diào)節(jié)電阻箱R的阻值，使得電流表的示數(shù)也為I₁，此時電阻箱的阻值R=4.00Ω，則R_x=Ω
②測電源的電動勢E和內(nèi)阻r
將開關(guān)S₁閉合、開關(guān)S₂接b，調(diào)節(jié)電阻箱R的阻值，記下電流表的示數(shù)I，得到若干組R、I的數(shù)據(jù)（見圖），請根據(jù)圖象求得電動勢E=V，內(nèi)阻r=Ω（保留兩位有效數(shù)字）．