題目列表(包括答案和解析)
| 物質(zhì) | Si | SiCl4 | SiHCl3 | SiH2Cl2 | SiH3Cl | HCl | SiH4 |
| 沸點(diǎn)/℃ | 2355 | 57.6 | 31.8 | 8.2 | -30.4 | -84.9 | -111.9 |
硅在地殼中的含量較高。硅及其化合物的開(kāi)發(fā)由來(lái)已久,在現(xiàn)代生活中有廣泛應(yīng)用;卮鹣铝袉(wèn)題:
(1)1810年瑞典化學(xué)家貝采利烏斯在加熱石英砂、木炭和鐵時(shí),得到一種“金屬”。這種“金屬”可能是 。
(2)陶瓷、水泥和玻璃是常用的硅酸鹽材料。其中,生產(chǎn)普通玻璃的主要原料有 。
(3)高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上提純硅有多種路線(xiàn),其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如下:
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發(fā)生的主要反應(yīng) |
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電弧爐 |
SiO2+2C |
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流化床反應(yīng)器 |
Si+3HCl |
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還原爐 |
SiHCl3+H2 |
①用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱也可以生產(chǎn)碳化硅,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 ;碳化硅又稱(chēng) ,其晶體結(jié)構(gòu)與 相似。
②在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中,SiHCl3大約占85%,還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,有關(guān)物質(zhì)的沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表,提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和 。
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物質(zhì) |
Si |
SiCl4 |
SiHCl3 |
SiH2Cl2 |
SiH3Cl |
HCl |
SiH4 |
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沸點(diǎn)/℃ |
2355 |
57.6 |
31.8 |
8.2 |
-30.4 |
-84.9 |
-111.9 |
③SiHCl3極易水解,其完全水解的產(chǎn)物為 。
(4)氯堿工業(yè)可為上述工藝生產(chǎn)提供部分原料,這些原料是 。
硅在地殼中的含量較高。硅及其化合物的開(kāi)發(fā)由來(lái)已久,在現(xiàn)代生活中有廣泛應(yīng)用。回答下列問(wèn)題:
(1)1810年瑞典化學(xué)家貝采利烏斯在加熱石英砂、木炭和鐵時(shí),得到一種“金屬”。這種“金屬”可能是 。
(2)陶瓷、水泥和玻璃是常用的硅酸鹽材料。其中,生產(chǎn)普通玻璃的主要原料有 。
(3)高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上提純硅有多種路線(xiàn),其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如下:
![]()
①用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱也可以生產(chǎn)碳化硅,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 ;碳化硅又稱(chēng) ,其晶體結(jié)構(gòu)與 相似。
②在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中,SiHCl3大約占85%,還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,有關(guān)物質(zhì)的沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表,提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和 。
| 物質(zhì) | Si | SiCl4 | SiHCl3 | SiH2Cl2 | SiH3Cl | HCl | SiH4 |
| 沸點(diǎn)/℃ | 2355 | 57.6 | 31.8 | 8.2 | -30.4 | -84.9 | -111.9 |
③SiHCl3極易水解,其完全水解的產(chǎn)物為 。
(4)氯堿工業(yè)可為上述工藝生產(chǎn)提供部分原料,這些原料是 。
(1)制造普通玻璃的主要化學(xué)反應(yīng)有:
(2)盛放堿液的試劑瓶不能用玻璃塞,是為了防止發(fā)生 反應(yīng)(以NaOH為例用化學(xué)方程式表示),避免瓶塞與瓶口粘在一起。
(3)一些高新技術(shù)產(chǎn)品的元件中使用的硅是極其純凈、幾乎沒(méi)有任何缺陷的單晶硅。其工業(yè)制法為:先在電爐中用炭粉還原二氧化硅制得不純的“粗硅”;然后在高溫下讓粗硅與氯氣反應(yīng),其產(chǎn)物在高溫下被氫氣還原,從而得到較純的硅。請(qǐng)寫(xiě)出上述過(guò)程中有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式:
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