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28.工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料.其中部分原料可用于制備多晶硅. (1)上圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖.電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是 ,NaOH溶液的出口為 ,精制飽和食鹽水的進口為 ,干燥塔中使用的液體干燥劑是 . (2)原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+.Mg2+.Fe3+.SO42-等雜質(zhì).必須精制后才能供電解使用.精制時.粗鹽溶于水過濾后.還要加入的試劑分別為①Na2CO3.②HCl③BaCl2.這3種試劑添加的合理順序是 . (3)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn).其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注. SiCl4可制氣相白炭黑(與光導纖維主要原料相同).方法為高溫下SiCl4與H2和 O2反應.產(chǎn)物有兩種.化學方程式為 . SiCl4也可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用.一定條件下.在20 L恒容密閉容器中發(fā)生反 應:3SiCl4(g)+2H24SiHCl3(g).達平衡后.H2與SiHCl3 物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L.若H2全部來源于離子交換膜 法的電解產(chǎn)物.理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為 mol. (4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時放出92.3 KJ的熱量,則該反應的熱化學方程式為: . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(本題滿分18分,第1小題6分,第2小題6分,第3小題6分)

    對于定義在D上的函數(shù),若同時滿足

   (Ⅰ)存在閉區(qū)間,使得任取,都有是常數(shù));

   (Ⅱ)對于D內(nèi)任意,當時總有,則稱為“平底型”函數(shù)。

   (1)判斷是否是“平底型”函數(shù)?簡要說明理由;

   (2)設是(1)中的“平底型”函數(shù),若,對一切恒成立,求實數(shù)的范圍;

   (3)若是“平底型”函數(shù),求滿足的條件,并說明理由。

 

 

 

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(本題滿分18分,第(1)小題4分,第(2)小題6分,第(2)小題8分)
已知雙曲線C:的一個焦點是,且。
(1)求雙曲線C的方程;
(2)設經(jīng)過焦點的直線的一個法向量為,當直線與雙曲線C的右支相交于不同的兩點時,求實數(shù)的取值范圍;并證明中點在曲線上。
(3)設(2)中直線與雙曲線C的右支相交于兩點,問是否存在實數(shù),使得為銳角?若存在,請求出的范圍;若不存在,請說明理由。

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(本題滿分18分)已知拋物線C的頂點在原點,焦點在y軸正半軸上,點到其準線的距離等于5.

(Ⅰ)求拋物線C的方程;

(Ⅱ)如圖,過拋物線C的焦點的直線從左到右依次與拋物線C及圓交于A、C、D、B四點,試證明為定值;

(Ⅲ)過A、B分別作拋物C的切線交于點M,求面積之和的最小值.

 

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(本題滿分18分,其中第1小題5分,第2小題5分,第3小題8分)
在平面直角坐標系中,已知為坐標原點,點的坐標為,點的坐標為,其中.設.
(1)若,,,求方程在區(qū)間內(nèi)的解集;
(2)若點是過點且法向量為的直線上的動點.當時,設函數(shù)的值域為集合,不等式的解集為集合. 若恒成立,求實數(shù)的最大值;
(3)根據(jù)本題條件我們可以知道,函數(shù)的性質(zhì)取決于變量、的值. 當時,試寫出一個條件,使得函數(shù)滿足“圖像關(guān)于點對稱,且在取得最小值”.(說明:請寫出你的分析過程.本小題將根據(jù)你對問題探究的完整性和在研究過程中所體現(xiàn)的思維層次,給予不同的評分.)

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.(本題滿分18分)

本題共有3個小題,第1小題滿分4分,第2小題滿分6分,第3小題滿分8分.

設二次函數(shù),對任意實數(shù),有恒成立;數(shù)列滿足.

(1)求函數(shù)的解析式和值域;

(2)試寫出一個區(qū)間,使得當時,數(shù)列在這個區(qū)間上是遞增數(shù)列,

并說明理由;

(3)已知,是否存在非零整數(shù),使得對任意,都有

 恒成立,若存在,

求之;若不存在,說明理由.

 

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