題目列表(包括答案和解析)
| 元素編號 | 元素特征信息 |
| A | 其單質(zhì)是密度最小的物質(zhì). |
| B | 陰離子帶兩個單位負電荷,單質(zhì)是空氣的主要成分之一. |
| C | 其陽離子與B的陰離子有相同的電子層結(jié)構(gòu),且與B可以形成兩種離子化合物. |
| D | 其氫氧化物和氧化物都有兩性,與C同周期 |
| E | 與C同周期,原子半徑在該周期最小 |
氮化硅( Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途.
I.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,常見的方法有:
方法一:直接氮化法:在1300℃-1400℃時,高純粉狀硅與純氮氣化合,其反應(yīng)方程式為
。
方法二:化學氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應(yīng)生成氮化硅和HC1,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是 .
方法三:Si(NH2)4熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH2)4和一種氣體(填分子式)________;然后使Si(NH2)4受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為 。
II.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:
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已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng),Y與X在光照或點燃條件下可反應(yīng),Z的焰色呈黃色.
(1)原料B的主要成分是(寫名稱) 。
(2)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學方程式: 。
(3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時,陽極材料能否用Cu (填“能”或“不能”),寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時間陰陽極的電極方程式:
陽極: ;陰極: 。
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