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9．如圖4所示為小明做“探究凸透鏡成像規(guī)律 的實(shí)驗(yàn)裝置圖.透鏡的焦距為15cm.要使蠟燭在光屏上成清晰的像.在蠟燭.凸透鏡和光屏三者中.只移動(dòng)其中的一個(gè).其余兩個(gè)不動(dòng).下列措施中可行的是 A．光屏向左移動(dòng) B．光屏向右移動(dòng) C．蠟燭向左移動(dòng) D．透鏡向右移動(dòng) 茂名市2009年初中畢業(yè)生學(xué)業(yè)考試 與高中階段學(xué)校招生考試 物 理 試 卷 第二卷 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

小昆和小軍在做“伏安法測(cè)電阻”的實(shí)驗(yàn)．
（1）請(qǐng)你幫助他們?cè)趯?shí)物連接圖1中，用筆畫線代替導(dǎo)線將所缺的導(dǎo)線補(bǔ)上．
（2）當(dāng)小昆完成電路連接后就準(zhǔn)備閉合開關(guān)，同伴小軍提醒還有一處不妥當(dāng)，你知道小軍提醒的是什么嗎？答：
 
．
（3）在實(shí)驗(yàn)過程中，小昆突然現(xiàn)電流表沒有示數(shù)，而電壓表有示數(shù)，且接近于電源電壓，則故障可能是：
 
．
（4）小昆還準(zhǔn)備探究“電阻并聯(lián)時(shí)總電與各部分電阻的關(guān)系”．取來一個(gè)10Ω定值電阻和一個(gè)電阻箱（精英家教網(wǎng)）．請(qǐng)你在圖3的方框中為她設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)電路圖．
（5）小昆將數(shù)據(jù)填入表中，分析表中數(shù)據(jù)，得出：
1
R并
=
1
R1
+
1
R2
．同伴小軍發(fā)現(xiàn)：電阻并聯(lián)時(shí)的總電阻比各部分電阻都要小，而且當(dāng)R2遠(yuǎn)大于R1時(shí)，并聯(lián)的總電阻的大小與
 
非常接近．
實(shí)驗(yàn)次數(shù) 1 2 3 4 5
R1/Ω 10 10 10 10 10
R2/Ω 1 10 100 1000 10000
R3/Ω 0.91 5.00 9.09 9.90 9.99
（6）我們知道電壓表也是有電阻的，當(dāng)它并聯(lián)在電阻兩端測(cè)電壓時(shí)，對(duì)原電路會(huì)造成一定的影響．如圖4所示，電壓表并聯(lián)到R1兩端時(shí)測(cè)出的電壓值未接入時(shí)R1兩端的實(shí)際電壓值要
 
（大/�。�(dāng)被測(cè)電阻阻值
 
時(shí)（選填“較大”或“較小”），電壓表的測(cè)量值更接近真實(shí)值．
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在物理學(xué)中，磁感應(yīng)強(qiáng)度（用字母 B 表示，國(guó)際單位是特斯拉，符號(hào)是T）表示磁場(chǎng)的強(qiáng)弱，磁感應(yīng)強(qiáng)度B越大，磁場(chǎng)越強(qiáng)；磁感線形象、直觀描述磁場(chǎng)，磁感線越密，磁場(chǎng)越強(qiáng)．
（1）圖1為某磁極附近磁感線的方向和分布的示意圖．由圖可知，該磁極為______極，若在2處放置一個(gè)小磁針，當(dāng)小磁針靜止時(shí)，其指向應(yīng)是圖2中的______；位置1處磁感應(yīng)強(qiáng)度______位置2處的磁感應(yīng)強(qiáng)度（填“大于”、“小于”或“等于”）．

（2）如果電阻的大小隨磁場(chǎng)的強(qiáng)弱變化而變化，則這種電阻叫磁敏電阻．某磁敏電阻 R 的阻值隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B變化的圖象如圖19丙所示．根據(jù)圖線可知，磁敏電阻的阻值隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B的增大而______． （填“增大”或“減小”）

（3）利用該磁敏電阻的R-B 特性曲線可以測(cè)量磁場(chǎng)中各處的磁感應(yīng)強(qiáng)度．
①將該磁敏電阻R放置在圖3磁場(chǎng)中的位置1 處． 小吳設(shè)計(jì)了一個(gè)可以測(cè)量該磁敏電阻R的電路，并連接成如圖4所示的實(shí)驗(yàn)電路，其中磁敏電阻所處的磁場(chǎng)未畫出．
②正確接線后，測(cè)得的數(shù)據(jù)如下表格所示．該磁敏電阻的測(cè)量值為______?．
③根據(jù)該磁敏電阻的R-B特性曲線（圖2丙）可知，位置1 處的磁感應(yīng)強(qiáng)度為______T．
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U/V1.53.04.5
I/mA3.06.09.0

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在物理學(xué)中，磁感應(yīng)強(qiáng)度（用字母 B 表示，國(guó)際單位是特斯拉，符號(hào)是T）表示磁場(chǎng)的強(qiáng)弱，磁感應(yīng)強(qiáng)度B越大，磁場(chǎng)越強(qiáng)；磁感線形象、直觀描述磁場(chǎng)，磁感線越密，磁場(chǎng)越強(qiáng)．
（1）圖1為某磁極附近磁感線的方向和分布的示意圖．由圖可知，該磁極為______極，若在2處放置一個(gè)小磁針，當(dāng)小磁針靜止時(shí)，其指向應(yīng)是圖2中的______；位置1處磁感應(yīng)強(qiáng)度______位置2處的磁感應(yīng)強(qiáng)度（填“大于”、“小于”或“等于”）．

（2）如果電阻的大小隨磁場(chǎng)的強(qiáng)弱變化而變化，則這種電阻叫磁敏電阻．某磁敏電阻 R 的阻值隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B變化的圖象如圖19丙所示．根據(jù)圖線可知，磁敏電阻的阻值隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B的增大而______． （填“增大”或“減小”）

（3）利用該磁敏電阻的R-B 特性曲線可以測(cè)量磁場(chǎng)中各處的磁感應(yīng)強(qiáng)度．
①將該磁敏電阻R放置在圖3磁場(chǎng)中的位置1 處． 小吳設(shè)計(jì)了一個(gè)可以測(cè)量該磁敏電阻R的電路，并連接成如圖4所示的實(shí)驗(yàn)電路，其中磁敏電阻所處的磁場(chǎng)未畫出．
②正確接線后，測(cè)得的數(shù)據(jù)如下表格所示．該磁敏電阻的測(cè)量值為______?．
③根據(jù)該磁敏電阻的R-B特性曲線（圖2丙）可知，位置1 處的磁感應(yīng)強(qiáng)度為______T．
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U/V1.53.04.5
I/mA3.06.09.0

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（09河南）凸透鏡成像規(guī)律時(shí)，保持凸透鏡的位置不變，先后把蠟燭放在a、b、c、d四點(diǎn)并分別調(diào)整光屏的位置，如圖4所示，探究后他總結(jié)出下列說法。其中正確的是

A．照像機(jī)是利用蠟燭放在a點(diǎn)的成像特點(diǎn)制成的

B．放大鏡是利用蠟燭放在b點(diǎn)的成像特點(diǎn)制成的

C．幻燈機(jī)是利用蠟燭放在d點(diǎn)的成像特點(diǎn)制成的

D．蠟燭放在b點(diǎn)成的像比它放在c點(diǎn)成的像大

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09年7月22日，重慶市民領(lǐng)略了500年一遇的日全食天象奇觀，如圖4所示，每一個(gè)觀察者都被這大自然的奇觀速所吸引和震撼，其實(shí)日食的產(chǎn)生是由于光沿       傳播形成的。我們眼球內(nèi)的晶狀體相當(dāng)于     鏡，能會(huì)聚光線。

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