題目列表(包括答案和解析)
【選做題】請(qǐng)從A、B和C三小題中選定兩小題作答,并在答題卡上把所選題目對(duì)應(yīng)字母后的方框涂滿涂黑.如都作答,則按A、B兩小題評(píng)分.
A.(選修模塊3-3)(12分)
⑴下列說法正確的是( )
A.在一定條件下,物體的溫度可以降到0K;
B.物體從單一熱源吸收的熱量可全部用于做功;
C.任何自然過程中,一個(gè)孤立系統(tǒng)的總熵不會(huì)減。
D.系統(tǒng)對(duì)外做功16J,向外放熱12J,則系統(tǒng)內(nèi)能減少4J。
⑵ 對(duì)于一定質(zhì)量的理想氣體,下列說法中正確的是( )
A、保持壓強(qiáng)不變,同時(shí)升高溫度并減小體積;
B、保持溫度不變,同時(shí)增加體積并減小壓強(qiáng);
C、保持體積不變,同時(shí)增加壓強(qiáng)并降低溫度;
D、保持體積和壓強(qiáng)不變,降低溫度;
⑶某地區(qū)強(qiáng)風(fēng)速為14m/s,空氣的密度為1.3kg/m3,若通過截面積為400m2的風(fēng)能全部用于使風(fēng)力發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng),且風(fēng)能的20%轉(zhuǎn)化為電能,求該風(fēng)力發(fā)電機(jī)的電功率(結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)。
B.(選修模塊3-4)(12分)
(1)下列說法中正確的是( )
A.兩列機(jī)械波發(fā)生干涉現(xiàn)象,振動(dòng)加強(qiáng)的點(diǎn)位移總是最大;
B.產(chǎn)生多普勒效應(yīng)的原因是觀察者和波源之間發(fā)生了相對(duì)運(yùn)動(dòng);
C.如圖為一列沿x軸正方向傳播的簡諧波在t=0時(shí)刻的波形圖,已知波速為10m/s,則圖中x=4m處的P質(zhì)點(diǎn)振動(dòng)方程為
;
D.狹義相對(duì)論認(rèn)為真空中的光速在不同的慣性參考系中總是相同的。
(2)已知某玻璃對(duì)藍(lán)光的折射率比對(duì)紅光的折射率大,則兩種光( )
A.在該玻璃中傳播時(shí),藍(lán)光的速度較大;
B.以相同的入射角從空氣斜射入該玻璃中,藍(lán)光折射角較。
C.從該玻璃射向空氣發(fā)生全反射時(shí),紅光臨界角較大;
D.用同一裝置進(jìn)行雙縫干涉實(shí)驗(yàn),藍(lán)光的相鄰條紋間距較大。
⑶一棱鏡的截面為直角三角形ABC,∠A=30o,斜邊AB=a。棱鏡材料的折射率為n=
。在此截面所在的平面內(nèi),一條光線以45o的入射角從AC邊的中點(diǎn)M射入棱鏡,求射出點(diǎn)的位置(不考慮光線沿原來路返回的情況)。
C.(選修模塊3-5)(12分)
⑴下列物理實(shí)驗(yàn)中,能說明粒子具有波動(dòng)性的是
A.通過研究金屬的遏止電壓與入射光頻率的關(guān)系,證明了愛因斯坦方程的正確性
B.通過測試多種物質(zhì)對(duì)X射線的散射,發(fā)現(xiàn)散射射線中有波長變大的成分
C.通過電子雙縫實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)電子的干涉現(xiàn)象
D.利用晶體做電子束衍射實(shí)驗(yàn),證實(shí)了電子的波動(dòng)性
⑵氫原子的能級(jí)如圖所示.有一群處于n=4能級(jí)的氫原子,
這群氫原子能發(fā)出 種譜線,發(fā)出的光子照射某金
屬能產(chǎn)生光電效應(yīng)現(xiàn)象,則該金屬的逸出功應(yīng)小于
eV.
⑶近年來,國際熱核聚變實(shí)驗(yàn)堆計(jì)劃取得了重大進(jìn)展,它
利用的核反應(yīng)方程是
→
.若
和
迎面碰撞,初速度大小分別為v1、v2,
、
、
He、
的質(zhì)量分別為m1、m2、m3、m4,反應(yīng)后
He的速度大小為v3,方向與
的運(yùn)動(dòng)方向相同,求中子
的速度
(選取m的運(yùn)動(dòng)方向?yàn)檎较,不?jì)釋放的光子的動(dòng)量,不考慮相對(duì)論效應(yīng)).
【選做題】請(qǐng)從A、B和C三小題中選定兩小題作答,并在答題卡上把所選題目對(duì)應(yīng)字母后的方框涂滿涂黑.如都作答,則按A、B兩小題評(píng)分.
A.(選修模塊3-3)(12分)
⑴下列說法正確的是( )
A.在一定條件下,物體的溫度可以降到0K;
B.物體從單一熱源吸收的熱量可全部用于做功;
C.任何自然過程中,一個(gè)孤立系統(tǒng)的總熵不會(huì)減;
D.系統(tǒng)對(duì)外做功16J,向外放熱12J,則系統(tǒng)內(nèi)能減少4J。
⑵ 對(duì)于一定質(zhì)量的理想氣體,下列說法中正確的是( )
A、保持壓強(qiáng)不變,同時(shí)升高溫度并減小體積;
B、保持溫度不變,同時(shí)增加體積并減小壓強(qiáng);
C、保持體積不變,同時(shí)增加壓強(qiáng)并降低溫度;
D、保持體積和壓強(qiáng)不變,降低溫度;
⑶某地區(qū)強(qiáng)風(fēng)速為14m/s,空氣的密度為1.3kg/m3,若通過截面積為400m2的風(fēng)能全部用于使風(fēng)力發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng),且風(fēng)能的20%轉(zhuǎn)化為電能,求該風(fēng)力發(fā)電機(jī)的電功率(結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)。
B.(選修模塊3-4)(12分)
(1)下列說法中正確的是( )
A.兩列機(jī)械波發(fā)生干涉現(xiàn)象,振動(dòng)加強(qiáng)的點(diǎn)位移總是最大;
B.產(chǎn)生多普勒效應(yīng)的原因是觀察者和波源之間發(fā)生了相對(duì)運(yùn)動(dòng);
C.如圖為一列沿x軸正方向傳播的簡諧波在t=0時(shí)刻的波形圖,已知波速為10m/s,則圖中x=4m處的P質(zhì)點(diǎn)振動(dòng)方程為
;
D.狹義相對(duì)論認(rèn)為真空中的光速在不同的慣性參考系中總是相同的。
(2)已知某玻璃對(duì)藍(lán)光的折射率比對(duì)紅光的折射率大,則兩種光( )
A.在該玻璃中傳播時(shí),藍(lán)光的速度較大;
B.以相同的入射角從空氣斜射入該玻璃中,藍(lán)光折射角較;
C.從該玻璃射向空氣發(fā)生全反射時(shí),紅光臨界角較大;
D.用同一裝置進(jìn)行雙縫干涉實(shí)驗(yàn),藍(lán)光的相鄰條紋間距較大。
⑶一棱鏡的截面為直角三角形ABC,∠A=30o,斜邊AB=a。棱鏡材料的折射率為n=。在此截面所在的平面內(nèi),一條光線以45o的入射角從AC邊的中點(diǎn)M射入棱鏡,求射出點(diǎn)的位置(不考慮光線沿原來路返回的情況)。
C.(選修模塊3-5)(12分)
⑴下列物理實(shí)驗(yàn)中,能說明粒子具有波動(dòng)性的是
A.通過研究金屬的遏止電壓與入射光頻率的關(guān)系,證明了愛因斯坦方程的正確性
B.通過測試多種物質(zhì)對(duì)X射線的散射,發(fā)現(xiàn)散射射線中有波長變大的成分
C.通過電子雙縫實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)電子的干涉現(xiàn)象
D.利用晶體做電子束衍射實(shí)驗(yàn),證實(shí)了電子的波動(dòng)性
⑵氫原子的能級(jí)如圖所示.有一群處于n=4能級(jí)的氫原子,
這群氫原子能發(fā)出 種譜線,發(fā)出的光子照射某金
屬能產(chǎn)生光電效應(yīng)現(xiàn)象,則該金屬的逸出功應(yīng)小于
eV.
⑶近年來,國際熱核聚變實(shí)驗(yàn)堆計(jì)劃取得了重大進(jìn)展,它
利用的核反應(yīng)方程是
→
.若
和
迎面碰撞,初速度大小分別為v1、v2,
、
、
He、
的質(zhì)量分別為m1、m2、m3、m4,反應(yīng)后
He的速度大小為v3,方向與
的運(yùn)動(dòng)方向相同,求中子
的速度
(選取m的運(yùn)動(dòng)方向?yàn)檎较,不?jì)釋放的光子的動(dòng)量,不考慮相對(duì)論效應(yīng)).
| A、b光的頻率比a光的頻率高 | B、在三棱鏡中a光傳播時(shí)間比b光的短 | C、用a、b兩種光做雙縫干涉實(shí)驗(yàn),在相同條件下,b光干涉條紋間距比a光大 | D、當(dāng)a、b兩光由水中射向空氣產(chǎn)生全反射時(shí),a光的臨界角比b光的臨界角大 |
第九部分 穩(wěn)恒電流
第一講 基本知識(shí)介紹
第八部分《穩(wěn)恒電流》包括兩大塊:一是“恒定電流”,二是“物質(zhì)的導(dǎo)電性”。前者是對(duì)于電路的外部計(jì)算,后者則是深入微觀空間,去解釋電流的成因和比較不同種類的物質(zhì)導(dǎo)電的情形有什么區(qū)別。
應(yīng)該說,第一塊的知識(shí)和高考考綱對(duì)應(yīng)得比較好,深化的部分是對(duì)復(fù)雜電路的計(jì)算(引入了一些新的處理手段)。第二塊雖是全新的內(nèi)容,但近幾年的考試已經(jīng)很少涉及,以至于很多奧賽培訓(xùn)資料都把它刪掉了。鑒于在奧賽考綱中這部分內(nèi)容還保留著,我們還是想粗略地介紹一下。
一、歐姆定律
1、電阻定律
a、電阻定律 R = ρ![]()
b、金屬的電阻率 ρ = ρ0(1 + αt)
2、歐姆定律
a、外電路歐姆定律 U = IR ,順著電流方向電勢降落
b、含源電路歐姆定律
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在如圖8-1所示的含源電路中,從A點(diǎn)到B點(diǎn),遵照原則:①遇電阻,順電流方向電勢降落(逆電流方向電勢升高)②遇電源,正極到負(fù)極電勢降落,負(fù)極到正極電勢升高(與電流方向無關(guān)),可以得到以下關(guān)系
UA ? IR ? ε ? Ir = UB
這就是含源電路歐姆定律。
c、閉合電路歐姆定律
在圖8-1中,若將A、B兩點(diǎn)短接,則電流方向只可能向左,含源電路歐姆定律成為
UA + IR ? ε + Ir = UB = UA
即 ε = IR + Ir ,或 I = ![]()
這就是閉合電路歐姆定律。值得注意的的是:①對(duì)于復(fù)雜電路,“干路電流I”不能做絕對(duì)的理解(任何要考察的一條路均可視為干路);②電源的概念也是相對(duì)的,它可以是多個(gè)電源的串、并聯(lián),也可以是電源和電阻組成的系統(tǒng);③外電阻R可以是多個(gè)電阻的串、并聯(lián)或混聯(lián),但不能包含電源。
二、復(fù)雜電路的計(jì)算
1、戴維南定理:一個(gè)由獨(dú)立源、線性電阻、線性受控源組成的二端網(wǎng)絡(luò),可以用一個(gè)電壓源和電阻串聯(lián)的二端網(wǎng)絡(luò)來等效。(事實(shí)上,也可等效為“電流源和電阻并聯(lián)的的二端網(wǎng)絡(luò)”——這就成了諾頓定理。)
應(yīng)用方法:其等效電路的電壓源的電動(dòng)勢等于網(wǎng)絡(luò)的開路電壓,其串聯(lián)電阻等于從端鈕看進(jìn)去該網(wǎng)絡(luò)中所有獨(dú)立源為零值時(shí)的等效電阻。
2、基爾霍夫(克?品颍┒
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a、基爾霍夫第一定律:在任一時(shí)刻流入電路中某一分節(jié)點(diǎn)的電流強(qiáng)度的總和,等于從該點(diǎn)流出的電流強(qiáng)度的總和。
例如,在圖8-2中,針對(duì)節(jié)點(diǎn)P ,有
I2 + I3 = I1
基爾霍夫第一定律也被稱為“節(jié)點(diǎn)電流定律”,它是電荷受恒定律在電路中的具體體現(xiàn)。
對(duì)于基爾霍夫第一定律的理解,近來已經(jīng)拓展為:流入電路中某一“包容塊”的電流強(qiáng)度的總和,等于從該“包容塊”流出的電流強(qiáng)度的總和。
b、基爾霍夫第二定律:在電路中任取一閉合回路,并規(guī)定正的繞行方向,其中電動(dòng)勢的代數(shù)和,等于各部分電阻(在交流電路中為阻抗)與電流強(qiáng)度乘積的代數(shù)和。
例如,在圖8-2中,針對(duì)閉合回路① ,有
ε3 ? ε2 = I3 ( r3 + R2 + r2 ) ? I2R2
基爾霍夫第二定律事實(shí)上是含源部分電路歐姆定律的變體(☆同學(xué)們可以列方程 UP = … = UP得到和上面完全相同的式子)。
3、Y?Δ變換
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在難以看清串、并聯(lián)關(guān)系的電路中,進(jìn)行“Y型?Δ型”的相互轉(zhuǎn)換常常是必要的。在圖8-3所示的電路中
☆同學(xué)們可以證明Δ→ Y的結(jié)論…
Rc = ![]()
Rb = ![]()
Ra = ![]()
Y→Δ的變換稍稍復(fù)雜一些,但我們?nèi)匀豢梢缘玫?/p>
R1 = ![]()
R2 = ![]()
R3 = ![]()
三、電功和電功率
1、電源
使其他形式的能量轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿难b置。如發(fā)電機(jī)、電池等。發(fā)電機(jī)是將機(jī)械能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔;干電池、蓄電池是將化學(xué)能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔埽还怆姵厥菍⒐饽苻D(zhuǎn)變?yōu)殡娔;原子電池是將原子核放射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔;在電子設(shè)備中,有時(shí)也把變換電能形式的裝置,如整流器等,作為電源看待。
電源電動(dòng)勢定義為電源的開路電壓,內(nèi)阻則定義為沒有電動(dòng)勢時(shí)電路通過電源所遇到的電阻。據(jù)此不難推出相同電源串聯(lián)、并聯(lián),甚至不同電源串聯(lián)、并聯(lián)的時(shí)的電動(dòng)勢和內(nèi)阻的值。
例如,電動(dòng)勢、內(nèi)阻分別為ε1 、r1和ε2 、r2的電源并聯(lián),構(gòu)成的新電源的電動(dòng)勢ε和內(nèi)阻r分別為(☆師生共同推導(dǎo)…)
ε = ![]()
r = ![]()
2、電功、電功率
電流通過電路時(shí),電場力對(duì)電荷作的功叫做電功W。單位時(shí)間內(nèi)電場力所作的功叫做電功率P 。
計(jì)算時(shí),只有W = UIt和P = UI是完全沒有條件的,對(duì)于不含源的純電阻,電功和焦耳熱重合,電功率則和熱功率重合,有W = I2Rt =
t和P = I2R =
。
對(duì)非純電阻電路,電功和電熱的關(guān)系依據(jù)能量守恒定律求解。
四、物質(zhì)的導(dǎo)電性
在不同的物質(zhì)中,電荷定向移動(dòng)形成電流的規(guī)律并不是完全相同的。
1、金屬中的電流
即通常所謂的不含源純電阻中的電流,規(guī)律遵從“外電路歐姆定律”。
2、液體導(dǎo)電
能夠?qū)щ姷囊后w叫電解液(不包括液態(tài)金屬)。電解液中離解出的正負(fù)離子導(dǎo)電是液體導(dǎo)電的特點(diǎn)(如:硫酸銅分子在通常情況下是電中性的,但它在溶液里受水分子的作用就會(huì)離解成銅離子Cu2+和硫酸根離子S
,它們?cè)陔妶隽Φ淖饔孟露ㄏ蛞苿?dòng)形成電流)。
在電解液中加電場時(shí),在兩個(gè)電極上(或電極旁)同時(shí)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的過程叫作“電解”。電解的結(jié)果是在兩個(gè)極板上(或電極旁)生成新的物質(zhì)。
液體導(dǎo)電遵從法拉第電解定律——
法拉第電解第一定律:電解時(shí)在電極上析出或溶解的物質(zhì)的質(zhì)量和電流強(qiáng)度、跟通電時(shí)間成正比。表達(dá)式:m = kIt = KQ (式中Q為析出質(zhì)量為m的物質(zhì)所需要的電量;K為電化當(dāng)量,電化當(dāng)量的數(shù)值隨著被析出的物質(zhì)種類而不同,某種物質(zhì)的電化當(dāng)量在數(shù)值上等于通過1C電量時(shí)析出的該種物質(zhì)的質(zhì)量,其單位為kg/C。)
法拉第電解第二定律:物質(zhì)的電化當(dāng)量K和它的化學(xué)當(dāng)量成正比。某種物質(zhì)的化學(xué)當(dāng)量是該物質(zhì)的摩爾質(zhì)量M(克原子量)和它的化合價(jià)n的比值,即 K =
,而F為法拉第常數(shù),對(duì)任何物質(zhì)都相同,F(xiàn) = 9.65×104C/mol 。
將兩個(gè)定律聯(lián)立可得:m =
Q 。
3、氣體導(dǎo)電
氣體導(dǎo)電是很不容易的,它的前提是氣體中必須出現(xiàn)可以定向移動(dòng)的離子或電子。按照“載流子”出現(xiàn)方式的不同,可以把氣體放電分為兩大類——
a、被激放電
在地面放射性元素的輻照以及紫外線和宇宙射線等的作用下,會(huì)有少量氣體分子或原子被電離,或在有些燈管內(nèi),通電的燈絲也會(huì)發(fā)射電子,這些“載流子”均會(huì)在電場力作用下產(chǎn)生定向移動(dòng)形成電流。這種情況下的電流一般比較微弱,且遵從歐姆定律。典型的被激放電情形有
b、自激放電
但是,當(dāng)電場足夠強(qiáng),電子動(dòng)能足夠大,它們和中性氣體相碰撞時(shí),可以使中性分子電離,即所謂碰撞電離。同時(shí),在正離子向陰極運(yùn)動(dòng)時(shí),由于以很大的速度撞到陰極上,還可能從陰極表面上打出電子來,這種現(xiàn)象稱為二次電子發(fā)射。碰撞電離和二次電子發(fā)射使氣體中在很短的時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)了大量的電子和正離子,電流亦迅速增大。這種現(xiàn)象被稱為自激放電。自激放電不遵從歐姆定律。
常見的自激放電有四大類:輝光放電、弧光放電、火花放電、電暈放電。
4、超導(dǎo)現(xiàn)象
據(jù)金屬電阻率和溫度的關(guān)系,電阻率會(huì)隨著溫度的降低和降低。當(dāng)電阻率降為零時(shí),稱為超導(dǎo)現(xiàn)象。電阻率為零時(shí)對(duì)應(yīng)的溫度稱為臨界溫度。超導(dǎo)現(xiàn)象首先是荷蘭物理學(xué)家昂尼斯發(fā)現(xiàn)的。
超導(dǎo)的應(yīng)用前景是顯而易見且相當(dāng)廣闊的。但由于一般金屬的臨界溫度一般都非常低,故產(chǎn)業(yè)化的價(jià)值不大,為了解決這個(gè)矛盾,科學(xué)家們致力于尋找或合成臨界溫度比較切合實(shí)際的材料就成了當(dāng)今前沿科技的一個(gè)熱門領(lǐng)域。當(dāng)前人們的研究主要是集中在合成材料方面,臨界溫度已經(jīng)超過100K,當(dāng)然,這個(gè)溫度距產(chǎn)業(yè)化的期望值還很遠(yuǎn)。
5、半導(dǎo)體
半導(dǎo)體的電阻率界于導(dǎo)體和絕緣體之間,且ρ
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