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【二選一—選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
已知A、B、C、D、E、F為周期表前四周期原子序數(shù)依次增大的六種元素。其中A是元素周期表中原子半徑最小的元素，B原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍。D、E為同主族元素，且E的原子序數(shù)為D的2倍。F元素在地殼中含量位于金屬元素的第二位。試回答下列問(wèn)題：
（1）F元素價(jià)層電子排布式為 ____________________。
（2）關(guān)于B₂A₂的下列說(shuō)法中正確的是 ________________。
A.B₂A₂中的所有原子都滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)         
B.每個(gè)B₂A₂分子中σ鍵和π鍵數(shù)目比為1:1
C.B₂A₂是由極性鍵和非極性鍵形成的非極性分子    
D.B₂A₂分子中的B-A鍵屬于s—pσ鍵
（3）B和D形成的一種三原子分子與C和D形成的一種化合物互為等電子體，則滿(mǎn)足上述條件的B和D形成的化合物的空間構(gòu)型是 ________________。
（4）C元素原子的第一電離能比B、D兩元素原子的第一電離能高的主要原因____________
（5）A與D可以形成原子個(gè)數(shù)比分別為2：1，1：1的兩種化合物X和Y，其中 Y含有_____________鍵（填“極性鍵”“非極性鍵”），A與C組成的兩種化合物M和N所含的電子數(shù)分別與X、Y相 等，則M的電子式為_(kāi)____________ ,N的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)_____________。
（6）E的氫化物的價(jià)層電子對(duì)互斥理論模型為 _______，E 原子的雜化方式為 _________雜化。
（7）F單質(zhì)的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式，晶胞分別如右圖所示。面心立方晶胞和體心立方晶胞的棱邊長(zhǎng)分別為acm、bcm，則F單質(zhì)的面心立方晶胞和體心立方晶胞的密度之比為_(kāi)___________，F(xiàn)原子配位數(shù)之比為_(kāi)____________。

已知A、B、C、D、E、F為周期表前四周期原子序數(shù)依次增大的六種元素。其中A是元素周期表中原子半徑最小的元素，B原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍。D、E為同主族元素，且E的原子序數(shù)為D的2倍。F元素在地殼中含量位于金屬元素的第二位。試回答下列問(wèn)題：
（1）F元素價(jià)層電子排布式為 ____________________。
（2）關(guān)于B₂A₂的下列說(shuō)法中正確的是 ________________。
A.B₂A₂中的所有原子都滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)         
B.每個(gè)B₂A₂分子中σ鍵和π鍵數(shù)目比為1:1
C.B₂A₂是由極性鍵和非極性鍵形成的非極性分子    
D.B₂A₂分子中的B-A鍵屬于s—pσ鍵
（3）B和D形成的一種三原子分子與C和D形成的一種化合物互為等電子體，則滿(mǎn)足上述條件的B和D形成的化合物的空間構(gòu)型是 ________________。
（4）C元素原子的第一電離能比B、D兩元素原子的第一電離能高的主要原因____________
（5）A與D可以形成原子個(gè)數(shù)比分別為2：1，1：1的兩種化合物X和Y，其中 Y含有_____________鍵（填“極性鍵”“非極性鍵”），A與C組成的兩種化合物M和N所含的電子數(shù)分別與X、Y相 等，則M的電子式為_(kāi)____________ ,N的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)_____________。
（6）E的氫化物的價(jià)層電子對(duì)互斥理論模型為 _______，E 原子的雜化方式為 _________雜化。
（7）F單質(zhì)的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式，晶胞分別如右圖所示。面心立方晶胞和體心立方晶胞的棱邊長(zhǎng)分別為acm、bcm，則F單質(zhì)的面心立方晶胞和體心立方晶胞的密度之比為_(kāi)___________，F(xiàn)原子配位數(shù)之比為_(kāi)____________。