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A．MN中的電流先減小后增大

B．MN中的電流先增大后減小

C．作用在MN上的外力的功率先減小后增大

D．矩形線框中消耗的電功率先減小后增大

如圖所示，abcd是用粗細(xì)均勻的電阻絲圍成的長(zhǎng)方形閉合線框，硬電阻線MN可在ad邊和bc邊上無(wú)摩擦地滑動(dòng)，且接觸良好。整個(gè)線框處在垂直于線框平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。MN由線框一端向另一端勻速滑動(dòng)過(guò)程中，下列各種說(shuō)法中正確的是(   )

A．MN中的電流先減小后增大

B．MN中的電流先增大后減小

C．作用在MN上的外力的功率先減小后增大

D．矩形線框中消耗的電功率先減小后增大

 如圖所示，有理想邊界的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度均為，兩邊界間距，一邊長(zhǎng)的正方形線框由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4，現(xiàn)使線框以的速度從位置I勻速運(yùn)動(dòng)到位置Ⅱ

  （1）求邊在兩磁場(chǎng)邊界間運(yùn)動(dòng)時(shí)線框所受的安培力

  （2）求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱

  （3）在給出的圖中畫出整個(gè)過(guò)程線框兩點(diǎn)間的電勢(shì)差隨時(shí)間變化的圖線（要求寫出計(jì)算過(guò)程）

 如圖所示，有理想邊界的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度均為，兩邊界間距，一邊長(zhǎng)的正方形線框由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4，現(xiàn)使線框以的速度從位置I勻速運(yùn)動(dòng)到位置Ⅱ

  （1）求邊在兩磁場(chǎng)邊界間運(yùn)動(dòng)時(shí)線框所受的安培力

  （2）求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱

  （3）在給出的圖中畫出整個(gè)過(guò)程線框兩點(diǎn)間的電勢(shì)差隨時(shí)間變化的圖線（要求寫出計(jì)算過(guò)程）

如圖所示，有理想邊界的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長(zhǎng) L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω�，F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運(yùn)動(dòng)到位置Ⅱ。

1.求cd邊未進(jìn)入右方磁場(chǎng)時(shí)線框所受安培力的大�。�

2.求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．

3.在坐標(biāo)圖中畫出整個(gè)過(guò)程中線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差U_ab隨時(shí)間t變化的圖線．

如圖所示，有理想邊界的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長(zhǎng) L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω�，F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運(yùn)動(dòng)到位置Ⅱ。

【小題1】求cd邊未進(jìn)入右方磁場(chǎng)時(shí)線框所受安培力的大�。�
【小題2】求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．
【小題3】在坐標(biāo)圖中畫出整個(gè)過(guò)程中線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差U_ab隨時(shí)間t變化的圖線．

如圖所示，有理想邊界的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長(zhǎng) L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω�，F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運(yùn)動(dòng)到位置Ⅱ。

1.求cd邊未進(jìn)入右方磁場(chǎng)時(shí)線框所受安培力的大小．

2.求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．

3.在坐標(biāo)圖中畫出整個(gè)過(guò)程中線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差U_ab隨時(shí)間t變化的圖線．