科目:高中物理 來源: 題型:
科目:高中物理 來源:不詳 題型:多選題
| A.當E和d重合時,環(huán)中電流最大 |
| B.當O和d重合時,環(huán)中電流最大 |
| C.當F和d重合時,環(huán)中電流為零 |
| D.當O和d重合時,環(huán)中感應電動勢的大小E=BRV |
科目:高中物理 來源:2010-2011學年福建省莆田市仙游縣度尾中學高二(上)模塊物理試卷(選修3-2)(解析版) 題型:選擇題
科目:高中物理 來源: 題型:
科目:高中物理 來源:四中大考卷-高二物理(下冊)、期中測試題 題型:013
如圖所示,abcd為一垂直紙面的勻強磁場區(qū)域,現在給豎直放置的圓環(huán)以某種約束,保證它無轉動的勻速下落,在下落過程中,它的左半部通過磁場,圓環(huán)均為電阻絲做成,F、O、E為環(huán)的上、中、下三點,則下列說法中正確的是
A.當E與d重合時,環(huán)中電流最大
B.當O與d重合時,環(huán)中電流最大
C.當F與d重合時,環(huán)中電流最大
D.以上說法都不對
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖9-3-4甲所示,abcd是位于豎直平面內的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應強度為B的勻強磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強磁場區(qū)域的水平邊界,并與線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直.現金屬線框由距MN的某一高度從靜止開始下落,圖9-3-18乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強磁場區(qū)域的vt圖象.已知金屬線框的質量為m,電阻為R,當地的重力加速度為g,圖象中坐標軸上所標出的字母v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量.(下落過程中bc邊始終水平)根據題中所給條件,以下說法正確的是( ).
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圖9-3-4
A.可以求出金屬框的邊長
B.線框穿出磁場時間(t4-t3)等于進入磁場時間(t2-t1)
C.線框穿出磁場與進入磁場過程所受安培力方向相同
D.線框穿出磁場與進入磁場過程產生的焦耳熱相等
科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題
| △B |
| △t |
科目:高中物理 來源:2010-2011學年山東省濟南市高三第一次模擬考試理科物理卷 題型:選擇題
如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應強度為B的勻強磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強磁場區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直,F金屬線框內距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強磁場區(qū)域的v – t 圖像。已知金屬線框的質量為m,電阻為R,當地的重力加速度為g,圖像中坐標軸上所標出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過程中bc邊始終水平)根據題中所給條件,以下說法正確的是 ( )
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A.可以求出金屬框的邊長
B.線框穿出磁場時間(t1—t3)等于進入磁場時間(t2—t1)
C.線框穿出磁場與進入磁場過程所受安培力方向相同
D.線框穿出磁場與進入磁場過程產生的焦耳相等
科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
| A.可以求出金屬框的邊長 |
| B.線框穿出磁場時間(t1—t3)等于進入磁場時間(t2—t1) |
| C.線框穿出磁場與進入磁場過程所受安培力方向相同 |
| D.線框穿出磁場與進入磁場過程產生的焦耳相等 |
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應強度為B的勻強磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強磁場區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直。現金屬線框內距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強磁場區(qū)域的v – t圖像。已知金屬線框的質量為m,電阻為R,當地的重力加速度為g,圖像中坐標軸上所標出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過程中bc邊始終水平)根據題中所給條件,以下說法正確的是 ( )
A.可以求出金屬框的邊長
B.線框穿出磁場時間(t1—t3)等于進入磁場時間(t2—t1)
C.線框穿出磁場與進入磁場過程所受安培力方向相同
D.線框穿出磁場與進入磁場過程產生的焦耳相等
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