如圖所示,環(huán)形導線和直導線AB相互絕緣,且直導線又緊靠環(huán)的直徑.若直導線被固定不動,則兩者通以圖示方向的電流后,環(huán)形導線運動的情況是( 。
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科目:高中物理 來源:閘北區(qū)模擬 題型:單選題
| A.靜止不動 | B.以直導線為軸轉動 |
| C.向上運動 | D.向下運動 |
科目:高中物理 來源:2005年上海市閘北區(qū)高考物理模擬試卷(4月份)(解析版) 題型:選擇題
科目:高中物理 來源:不詳 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,豎直平面內(nèi)有一半徑為r、內(nèi)阻為R1、粗細均勻的光滑半圓形金屬球,在M、N處與相距為2r、電阻不計的平行光滑金屬軌道ME、NF相接,EF之間接有電阻R2,已知R1=12R,R2=4R。在MN上方及CD下方有水平方向的勻強磁場I和II,磁感應強度大小均為B,F(xiàn)有質(zhì)量為m、電阻不計的導體棒ab,從半圓環(huán)的最高點A處由靜止下落,在下落過程中導體棒始終保持水平,與半圓形金屬環(huán)及軌道接觸良好,高平行軌道中夠長。已知導體棒ab下落r/2時的速度大小為v1,下落到MN處的速度大小為v2。
(1)求導體棒ab從A下落r/2時的加速度大小。
(2)若導體棒ab進入磁場II后棒中電流大小始終不變,求磁場I和II之間的距離h和R2上的電功率P2。
(3)若將磁場II的CD邊界略微下移,導體棒ab剛進入磁場II時速度大小為v3,要使其在外力F作用下做勻加速直線運動,加速度大小為a,求所加外力F隨時間變化的關系式。
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,豎直平面內(nèi)有一半徑為r、內(nèi)阻為R1、粗細均勻的光滑半圓形金屬環(huán),在M、N處與相距為2r、電阻不計的平行光滑金屬軌道ME、NF相接,EF之間接有電阻R2,已知R1=12R,R2=4R。在MN上方及CD下方有水平方向的勻強磁場I和II,磁感應強度大小均為B.現(xiàn)有質(zhì)量為m、電阻不計的導體棒ab,從半圓環(huán)的最高點A處由靜止下落,在下落過程中導體棒始終保持水平,與半圓形金屬環(huán)及軌道接觸良好,平行軌道中部高度足夠長.已知導體棒ab下落r/2時的速度大小為v1,下落到MN處的速度大小為v2。
(1)求導體棒ab從A下落r/2時的加速度大小。
(2)若導體棒ab進入磁場II后棒中電流大小始終不變,求磁場I和II之間的距離h和R2上的電功率P2。
(3)若將磁場II的CD邊界略微下移,導體棒ab剛進入磁場II時速度大小為v3,要使其在外力F作用下向下做勻加速直線運動,加速度大小為a,求所加外力F隨時間變化的關系式。
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,豎直平面內(nèi)有一半徑為r、內(nèi)阻為R1、粗細均勻的光滑半圓形金屬環(huán),在M、N處與相距為2r、電阻不計的平行光滑金屬軌道ME、NF相接,EF之間接有電阻R2,已知R1=12R,R2=4R。在MN上方及CD下方有水平方向的勻強磁場I和II,磁感應強度大小均為B.現(xiàn)有質(zhì)量為m、電阻不計的導體棒ab,從半圓環(huán)的最高點A處由靜止下落,在下落過程中導體棒始終保持水平,與半圓形金屬環(huán)及軌道接觸良好,平行軌道中部高度足夠長.已知導體棒ab下落r/2時的速度大小為v1,下落到MN處的速度大小為v2。
(1)求導體棒ab從A下落r/2時的加速度大小。
(2)若導體棒ab進入磁場II后棒中電流大小始終不變,求磁場I和II之間的距離h和R2上的電功率P2。
(3)若將磁場II的CD邊界略微下移,導體棒ab剛進入磁場II時速度大小為v3,要使其在外力F作用下向下做勻加速直線運動,加速度大小為a,求所加外力F隨時間變化的關系式。
科目:高中物理 來源:2012屆四川省成都樹德中學高考適應考試(一)理科綜合物理試卷(帶解析) 題型:計算題
如圖所示,豎直平面內(nèi)有一半徑為r、內(nèi)阻為R1、粗細均勻的光滑半圓形金屬環(huán),在M、N處與相距為2r、電阻不計的平行光滑金屬軌道ME、NF相接,EF之間接有電阻R2,已知R1=12R,R2=4R。在MN上方及CD下方有水平方向的勻強磁場I和II,磁感應強度大小均為B,F(xiàn)有質(zhì)量為m、電阻不計的導體棒ab,從半圓環(huán)的最高點A處由靜止下落,在下落過程中導體棒始終保持水平,與半圓形金屬環(huán)及軌道接觸良好,高平行軌道足夠長。已知導體棒ab下落r/2時的速度大小為v1,下落到MN處的速度大小為v2。![]()
(1)求導體棒ab從A下落r/2時的加速度大小。
(2)若導體棒ab進入磁場II后棒中電流大小始終不變,求磁場I和II之間的距離h和ab進入磁場II時R2上的電功率P2。
(3)若將磁場II的CD邊界略微下移,導體棒ab剛進入磁場II時速度大小為v3,要使其在外力F作用下做勻加速直線運動,加速度大小為a,求所加外力F隨時間變化的關系式。
科目:高中物理 來源:2011-2012學年四川省高考適應考試(一)理科綜合物理試卷(解析版) 題型:計算題
如圖所示,豎直平面內(nèi)有一半徑為r、內(nèi)阻為R1、粗細均勻的光滑半圓形金屬環(huán),在M、N處與相距為2r、電阻不計的平行光滑金屬軌道ME、NF相接,EF之間接有電阻R2,已知R1=12R,R2=4R。在MN上方及CD下方有水平方向的勻強磁場I和II,磁感應強度大小均為B。現(xiàn)有質(zhì)量為m、電阻不計的導體棒ab,從半圓環(huán)的最高點A處由靜止下落,在下落過程中導體棒始終保持水平,與半圓形金屬環(huán)及軌道接觸良好,高平行軌道足夠長。已知導體棒ab下落r/2時的速度大小為v1,下落到MN處的速度大小為v2。
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(1)求導體棒ab從A下落r/2時的加速度大小。
(2)若導體棒ab進入磁場II后棒中電流大小始終不變,求磁場I和II之間的距離h和ab進入磁場II時R2上的電功率P2。
(3)若將磁場II的CD邊界略微下移,導體棒ab剛進入磁場II時速度大小為v3,要使其在外力F作用下做勻加速直線運動,加速度大小為a,求所加外力F隨時間變化的關系式。
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