如圖所示，M、N是一對(duì)等大的平行金屬板，其板長(zhǎng)和板間距離均為l，是兩板的中線。N板接地，M、N間電壓隨時(shí)間變化的規(guī)律是u=U_msinωt。圖中直線PQ緊靠金屬板右邊緣，其右側(cè)有垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，PQ⊥。電子束連續(xù)不斷地從平行金屬板左側(cè)以初速度v₀沿射入金屬板間，每個(gè)電子穿越金屬板經(jīng)歷的時(shí)間極短，可認(rèn)為該段時(shí)間內(nèi)金屬板間的電壓是恒定的。已知電子電荷量與質(zhì)量之比的絕對(duì)值為k。t=0時(shí)刻射入的電子在右側(cè)磁場(chǎng)中的軌跡是直徑為d的半圓，如圖中虛線所示。忽略電子重力和各電子間的相互作用。求：⑴PQ右側(cè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小和方向；⑵已知在M、N間電壓變化的每個(gè)周期內(nèi)恰好有一半時(shí)間有電子從兩板間穿出而不打到金屬板上，U_m的值是多大？⑶在滿足上一問的情況下，直線PQ上有粒子從右向左穿出磁場(chǎng)的區(qū)域有多長(zhǎng)？

如圖所示，M、N是兩個(gè)共軸圓筒橫截面，外筒半徑為R，內(nèi)筒半徑比R小得多，可以忽略不計(jì)，筒的兩端是封閉的，兩筒之間抽成真空，兩筒以相同的角速度ω繞其中心軸線（圖中垂直于紙面）作勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。設(shè)從M筒內(nèi)部可以通過狹縫s（與M筒的軸線平行）不斷地向外射出兩種不同速率v₁和v₂的微粒，從s處射出時(shí)的初速度的方向都是沿筒的半徑方向，微粒到達(dá)N筒后就附著在N筒上.如果R、v₁和v₂都不變，而ω取某一合適的值，則（    ）

 A. 有可能使微粒落在Ⅳ筒上的位置都在a處一條與s縫平行的窄條上

B. 有可能使微粒落在N筒上的位置都在某處，如b處一條與縫s平行的窄條上

 C. 有可能使微粒落在N筒上的位置分別在某兩處，如b處和c處與s縫平行的窄條上

D. 只要時(shí)間足夠長(zhǎng)，N筒上到處都落微粒

如圖所示，M、N是兩個(gè)共軸圓筒橫截面，外筒半徑為R，內(nèi)筒半徑比R小得多，可以忽略不計(jì)，筒的兩端是封閉的，兩筒之間抽成真空，兩筒以相同的角速度ω繞其中心軸線（圖中垂直于紙面）作勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。設(shè)從M筒內(nèi)部可以通過狹縫s（與M筒的軸線平行）不斷地向外射出兩種不同速率v₁和v₂的微粒，從s處射出時(shí)的初速度的方向都是沿筒的半徑方向，微粒到達(dá)N筒后就附著在N筒上.如果R、v₁和v₂都不變，而ω取某一合適的值，則

1. A.
   有可能使微粒落在Ⅳ筒上的位置都在a處一條與s縫平行的窄條上
2. B.
   有可能使微粒落在N筒上的位置都在某處，如b處一條與縫s平行的窄條上
3. C.
   有可能使微粒落在N筒上的位置分別在某兩處，如b處和c處與s縫平行的窄條上
4. D.
   只要時(shí)間足夠長(zhǎng)，N筒上到處都落微粒

如圖所示，M、N是兩個(gè)共軸的圓筒，外筒半徑為R，內(nèi)筒半徑比R小很多，可以忽略不計(jì)，筒的兩端是封閉的，兩筒之間抽成真空，兩筒以相同的角速度ω繞其中心軸線(圖中垂直于紙面)作勻速轉(zhuǎn)動(dòng).設(shè)從M筒內(nèi)部可以通過平行于軸線的窄縫S，不斷地向外射出兩種不同速率v₁和v₂的微粒.微粒從S處射出時(shí)的初速度的方向沿筒的半徑方向，微粒到達(dá)N筒后就附著在N筒上，如果R、v₁和v₂都不變，而ω取某一合適的值，則(                ).【2】

(A)有可能使微粒落在N筒上的位置都在a處一條與S縫平行的窄條上

(B)有可能使微粒落在N筒上的位置都在某處如b處一條與S縫平行的窄條上

(C)有可能使微粒落在N筒上的位置分別在某兩處如b和c處與S縫平行的窄條上

(D)只要時(shí)間足夠長(zhǎng)，N筒上將到處落有微粒