| A. | 線框進(jìn)入磁場時的速度為$\sqrt{2gh}$ | |
| B. | 線框穿出磁場時的速度為$\frac{mgR}{{{B^2}{L^2}}}$ | |
| C. | 線框通過磁場的過程中產(chǎn)生的熱量Q=8mgh-$\frac{{8{m^3}{g^2}{R^2}}}{{{B^4}{L^4}}}$ | |
| D. | 線框進(jìn)入磁場后,若某一時刻的速度為v,則加速度為a=2g-$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{4mR}$ |
分析 線框進(jìn)入磁場前,根據(jù)重物與線框組成的機械能守恒求解線框進(jìn)入磁場時的速度;推導(dǎo)出安培力表達(dá)式,由平衡條件也可求得線框穿出磁場時的速度;
線框的高度與磁場的高度相等,線框通過磁場的過程都做勻速直線運動;根據(jù)能量守恒定律求解產(chǎn)生的熱量Q;
若某一時刻的速度為v,推導(dǎo)出安培力,運用牛頓第二定律列式求解加速度
解答 解:A、線框進(jìn)入磁場前,根據(jù)重物與線框組成的機械能守恒得:
(3mg-mg)•2h=$\frac{1}{2}$(3m+m)v2;
解得線框進(jìn)入磁場時的速度為:v=$\sqrt{2gh}$.故A正確.
B、線框進(jìn)入磁場時,根據(jù)平衡條件得:3mg-mg=F安,而F安=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,
聯(lián)立解得線框進(jìn)入磁場時的速度為:v=$\frac{2mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$.
線框的高度與磁場的高度相等,線框通過磁場的過程都做勻速直線運動,所以線框穿出磁場時的速度為v=$\frac{2mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$.故B錯誤.
C、設(shè)線框通過磁場的過程中產(chǎn)生的熱量為Q.對從靜止到剛通過磁場的過程,根據(jù)能量守恒得:
Q=(3mg-mg)•4h-$\frac{1}{2}$(3m+m)v2;
將v=$\frac{2mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$代入得:Q=8mgh-$\frac{8{m}^{3}{g}^{2}{R}^{2}}{{B}^{4}{L}^{4}}$,故C正確.
D、線框進(jìn)入磁場后,若某一時刻的速度為v,對整體,根據(jù)牛頓第二定律得:
3mg-mg-$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$=(3m+m)a
解得:a=$\frac{1}{2}$g-$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{4mR}$.故D錯誤.
故選:AC
點評 本題力學(xué)知識與電磁感應(yīng)的綜合,要認(rèn)真審題,明確物體運動的過程,正確分析受力及各力的做功情況,要熟練推導(dǎo)或記住安培力的表達(dá)式F安=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
| A. | 先增大后減小 | B. | 先減小后增大 | ||
| C. | 增大、減小、增大、減小 | D. | 減小、增大、減小、增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
| A. | PM2.5(指空氣中直徑小于2.5微米的懸浮顆粒物)在空氣中的運動屬于分子熱運動 | |
| B. | 分子間引力總是隨著分子間距離的減小而減小 | |
| C. | 熱量能夠自發(fā)地從高溫物體傳到低溫物體,但不能自發(fā)地從低溫物體傳到高溫物體 | |
| D. | 水的飽和汽壓隨溫度的升高而增大 | |
| E. | 液晶既具有液體的流動性,又具有單晶體的光學(xué)各向同性的特點 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
| A. | F′=2F | B. | x′=2x | C. | F′>2F | D. | x′<2x |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
| A. | 它們的速度先增大再減小 | |
| B. | 它們的加速度是先變大再變小 | |
| C. | 它們的加速度是先變大再變小,最后又變大 | |
| D. | 它們的動能先變大再變小,最后又增大到最大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
| A. | 勻速下落 | B. | 加速下落 | C. | 減速下落 | D. | 勻減速下落 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
| A. | 4:3 | B. | 3:2 | C. | 2:1 | D. | 1:2 |
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