| A. | 線(xiàn)圈進(jìn)入磁場(chǎng)和離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)橫截面的電荷量不相等 | |
| B. | 整個(gè)線(xiàn)圈穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中線(xiàn)圈的最小速度為$\sqrt{\frac{2F(s+L-d)}{m}}$ | |
| C. | 整個(gè)線(xiàn)圈穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中線(xiàn)圈的最大速度為$\frac{FR}{{B}^{2}{L}^{2}}$ | |
| D. | 整個(gè)線(xiàn)圈穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中線(xiàn)圈產(chǎn)生的熱量為2Fd |
分析 根據(jù)感應(yīng)電量q=$\frac{△Φ}{R}$可知,兩個(gè)過(guò)程線(xiàn)框磁通量變化量大小大小相等,則知兩個(gè)過(guò)程電量相等.線(xiàn)框進(jìn)入和穿出磁場(chǎng)過(guò)程,受到安培力作用而做減速運(yùn)動(dòng),由于線(xiàn)框做減速運(yùn)動(dòng),進(jìn)入過(guò)程的安培力要大于出去過(guò)程中的安培力,則知進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中線(xiàn)框克服安培力做功,由動(dòng)能定理可知?jiǎng)幽茏兓拇笮。赡芰渴睾愣杉纯芍罒崃康年P(guān)系.
解答 解:A、通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)橫截面的電量 q=$\frac{△Φ}{R}$,因?yàn)閮蓚(gè)過(guò)程線(xiàn)框磁通量變化量大小大小相等,可知線(xiàn)圈進(jìn)入磁場(chǎng)和離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)橫截面的電荷量相等.故A錯(cuò)誤.
B、線(xiàn)圈的運(yùn)動(dòng)是先勻加速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng),進(jìn)入磁場(chǎng)后由于受到安培力阻礙線(xiàn)圈的運(yùn)動(dòng),所以ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)后線(xiàn)圈開(kāi)始做減速運(yùn)動(dòng),又因ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)的速度與ab邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度相等,線(xiàn)圈全部進(jìn)入磁場(chǎng)后又做勻加速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng),當(dāng)ab邊剛要穿出磁場(chǎng)時(shí)線(xiàn)圈又做減速運(yùn)動(dòng),所以最小速度就是線(xiàn)圈完全離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度,在ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)到ab邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí),設(shè)線(xiàn)圈克服安培力做功為W,兩時(shí)刻速度相等,由動(dòng)能定理得:Fd-W=0,所以進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中線(xiàn)圈克服安培力做功為W=Fd,當(dāng)線(xiàn)圈完全離開(kāi)時(shí)線(xiàn)圈克服安培力做功仍為W,設(shè)線(xiàn)圈最小速度為v,由動(dòng)能定理得:F(s+L+d)-2W=$\frac{1}{2}m{v}^{2}$,解得整個(gè)線(xiàn)圈穿越磁場(chǎng)的過(guò)程中線(xiàn)圈的最小速度為:
v=$\sqrt{\frac{2F(s+L-d)}{m}}$,故B正確;
C、線(xiàn)圈的最大速度時(shí),線(xiàn)圈勻速運(yùn)動(dòng),則有F=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}_{m}}{R}$,可得最大速度vm=$\frac{FR}{{B}^{2}{L}^{2}}$,故C正確;
D、由于ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)的速度與ab邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度相等,那么線(xiàn)圈進(jìn)入磁場(chǎng)和離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)安培力做功相等,即消耗的電能相等,故穿越磁場(chǎng)的過(guò)程中線(xiàn)圈消耗的電能即線(xiàn)圈中產(chǎn)生的熱量 Q=2W=2Fd,故D正確.
故選:BCD
點(diǎn)評(píng) 分析線(xiàn)框的運(yùn)動(dòng)情況時(shí),關(guān)鍵要分析清楚題設(shè)的條件,抓住安培力的變化,判斷線(xiàn)框的運(yùn)動(dòng)情況.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
| A. | $\frac{v}{BL}$ | B. | $\frac{v}{2BL}$ | C. | $\frac{2v}{BL}$ | D. | $\frac{v}{3BL}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
| A. | 衛(wèi)星在軌道Ⅲ上運(yùn)動(dòng)的速度小于月球的第一宇宙速度 | |
| B. | 衛(wèi)星在軌道Ⅲ上運(yùn)動(dòng)周期比在軌道Ⅰ上大 | |
| C. | 衛(wèi)星在軌道Ⅲ上運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)的加速度等于沿軌道Ⅰ運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)的加速度 | |
| D. | Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三種軌道運(yùn)行相比較,衛(wèi)星在軌道Ⅰ上運(yùn)行的機(jī)械能最大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
| A. | 角速度變大 | B. | 地球赤道上物體的重力將增大 | ||
| C. | 同步衛(wèi)星的高度要調(diào)高一些 | D. | 地球的第一宇宙速度將變小 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
| A. | 支持力對(duì)小物塊做功為mgLsinα | |
| B. | 支持力對(duì)物塊做功為0 | |
| C. | 摩擦力對(duì)小物塊做功為mgLsinα | |
| D. | 滑動(dòng)摩擦力對(duì)小物塊做的功 $\frac{1}{2}$mv2+mgLsinα |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
| A. | 當(dāng)F>F1>Fsinθ時(shí),有兩解 | B. | 當(dāng)F1=Fsinθ時(shí),有唯一解 | ||
| C. | 當(dāng)Fsinθ<F1<F時(shí),有三解 | D. | 當(dāng)F1<Fsinθ時(shí),無(wú)解 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
| A. | 交變電流的周期為0.2s | B. | 交變電流的頻率為5Hz | ||
| C. | 發(fā)電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的最大值為20$\sqrt{2}$V | D. | 電阻R的電功率為18W |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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