| 1 |
| B |
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| △Φ |
| △t |
| △BS |
| △t |
| E |
| 2R |
| Sk |
| 2R |
| 1 |
| 2 |
| 1 |
| 2 |
| 1 |
| 2 |
|
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| v2 |
| R′ |
| mv |
| Bq |
| 1 |
| B |
|
| 1 |
| B |
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| 1 |
| 4 |
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,串聯(lián)阻值為
的閉合電路中,面積為
的正方形區(qū)域abcd存在一個方向垂直紙面向外、磁感應(yīng)強度均勻增加且變化率為k的勻強磁場
,abcd的電阻值也為
,其他電阻不計.電阻兩端又向右并聯(lián)一個平行板電容器.在靠近
板處由靜止釋放一質(zhì)量為
、電量為
的帶電粒子(不計重力),經(jīng)過
板的小孔
進入一個垂直紙面向內(nèi)、磁感應(yīng)強度為B的圓形勻強磁場,已知該圓形勻強磁場的半徑為
。求:
![]()
(1)電容器獲得的電壓;
(2)帶電粒子從小孔
射入勻強磁場時的速度;
(3)帶電粒子在圓形磁場運動時的軌道半徑及它離開磁場時的偏轉(zhuǎn)角.
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科目:高中物理 來源:2011屆江西省贛縣中學高三適應(yīng)性考理科綜合物理部分 題型:計算題
如圖所示,串聯(lián)阻值為R的閉合電路中,面積為S的正方形區(qū)域abcd存在一個方向垂直紙面向外、磁感應(yīng)強度均勻增加且變化率為k的勻強磁場Bt,abcd的電阻值也為R,其他電阻不計.電阻兩端又向右并聯(lián)一個平行板電容器.在靠近M板處由靜止釋放一質(zhì)量為m、電量為+q的帶電粒子(不計重力),經(jīng)過N板的小孔P進入一個垂直紙面向內(nèi)、磁感應(yīng)強度為B的圓形勻強磁場,已知該圓形勻強磁場的半徑
為
。求:![]()
(1)電容器獲得的電壓;
(2)帶電粒子從小孔P射入勻強磁場時的速度;
(3)帶電粒子在圓形磁場運動時的軌道半徑及它離開磁
場時的偏轉(zhuǎn)角
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科目:高中物理 來源:2013屆度重慶市名校聯(lián)盟高三下學期第二次聯(lián)考理綜物理試卷(解析版) 題型:計算題
(17分)如圖所示,串聯(lián)阻值為R的閉合電路中,邊長為L的正方形區(qū)域abcd存在一個方向垂直紙面向外、磁感應(yīng)強度均勻增加且變化率為
的勻強磁場
,abcd的電阻值也為R,其他電阻不計.電阻兩端又向右并聯(lián)一個平行板電容器.在靠近M板處由靜止釋放一質(zhì)量為m、電量為+q的帶電粒子(不計重力),經(jīng)過N板的小孔P進入一個垂直紙面向內(nèi)、磁感應(yīng)強度為B的圓形勻強磁場,已知該圓形勻強磁場的半徑為
.求:
![]()
(1)電容器獲得的電壓;
(2)帶電粒子從小孔P射入勻強磁場時的速度;
(3)帶電粒子在圓形磁場中運動的軌道半徑和它離開磁場時的偏轉(zhuǎn)角.
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科目:高中物理 來源:2011-2012學年廣東省高三第五次階段考試理科綜合物理試卷(解析版) 題型:計算題
如圖所示,串聯(lián)阻值為
的閉合電路中,面積為
的正方形區(qū)域abcd存在一個方向垂直紙面向外、磁感應(yīng)強度均勻增加且變化率為k的勻強磁場
,abcd的電阻值也為
,其他電阻不計.電阻兩端又向右并聯(lián)一個平行板電容器.在靠近
板處由靜止釋放一質(zhì)量為
、電量為
的帶電粒子(不計重力),經(jīng)過
板的小孔
進入一個垂直紙面向內(nèi)、磁感應(yīng)強度為B的圓形勻強磁場,已知該圓形勻強磁場的半徑為
。求:
(1)電容器獲得的電壓;
(2)帶電粒子從小孔
射入勻強磁場時的速度;
(3)帶電粒子在圓形磁場運動時的軌道半徑及它離開磁場時的偏轉(zhuǎn)角.
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