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如圖所示，xoy平面內(nèi)的邊長為a的正方形左邊中點與坐標(biāo)原點O重合。在該正方形區(qū)域內(nèi)，有與y軸平行向上的勻強電場和垂直于xoy平面的勻強磁場。一個帶正電的粒子（不計重力）從原點o沿x軸進入場區(qū)，恰好做勻速直線運動，穿過場區(qū)的時間為T。

（1）若撤去磁場，只保留電場，其他條件不變，該帶電粒子穿過場區(qū)的時間為T/2，求電場強度與帶電粒子的比荷q/m的關(guān)系式。

（2）若撤去電場，只保留磁場，其他條件不變，求該帶電粒子穿過場區(qū)的時間。

如圖所示，xoy平面內(nèi)的邊長為a的正方形左邊中點與坐標(biāo)原點O重合。在該正方形區(qū)域內(nèi)，有與y軸平行向上的勻強電場和垂直于xoy平面的勻強磁場。一個帶正電的粒子（不計重力）從原點o沿x軸進入場區(qū)，恰好做勻速直線運動，穿過場區(qū)的時間為T。

（1）若撤去磁場，只保留電場，其他條件不變，該帶電粒子穿過場區(qū)的時間為T/2，求電場強度與帶電粒子的比荷q/m的關(guān)系式。

（2）若撤去電場，只保留磁場，其他條件不變，求該帶電粒子穿過場區(qū)的時間。

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（1）若撤去磁場，只保留電場，其他條件不變，該帶電粒子穿過場區(qū)的時間為T/2，求電場強度與帶電粒子的比荷q/m的關(guān)系式。

（2）若撤去電場，只保留磁場，其他條件不變，求該帶電粒子穿過場區(qū)的時間。

如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系xoy平面x≥0某區(qū)域內(nèi)，有一勻強磁場區(qū)，y軸是磁場左側(cè)的理想邊界，直線NM是磁場右側(cè)的理想邊界，它與y軸的夾角為α。在x≤0的區(qū)域內(nèi)有與坐標(biāo)系xoy在同一平面的勻強電場，方向水平向右，其電場強度的大小為E。有一質(zhì)量為m，帶電量為+q的粒子（粒子的重力不計），從x軸上的A（－b、0）（b為已知常數(shù)）點由靜止釋放，粒子進入磁場后直接從磁場的右邊界射出，粒子射出磁場時的速度方向垂直于直線NM。已知N點坐標(biāo)為（0、－L），（L為已知常數(shù)）

    （1）求粒子從A點由靜止釋放，直到射出磁場所需的時間t；

（2）若將粒子從A點右側(cè)某位置釋放，粒子從圖中G點直接射出磁場，且與直線NM所成的角∠NGＤ為銳角；將粒子從A點左側(cè)某位置釋放，粒子從圖中C點直接射出磁場，且與直線NM所成的角∠NCＨ為鈍角，兩次射出時速度方向的反向延長線即圖中直線HC與DG的反向延長線的夾角為△θ，粒子兩次在磁場中運動的時間差為△t，求：的比值。

如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系xoy平面x≥0某區(qū)域內(nèi)，有一勻強磁場區(qū)，y軸是磁場左側(cè)的理想邊界，直線NM是磁場右側(cè)的理想邊界，它與y軸的夾角為α。在x≤0的區(qū)域內(nèi)有與坐標(biāo)系xoy在同一平面的勻強電場，方向水平向右，其電場強度的大小為E。有一質(zhì)量為m，帶電量為+q的粒子（粒子的重力不計），從x軸上的A（－b、0）（b為已知常數(shù)）點由靜止釋放，粒子進入磁場后直接從磁場的右邊界射出，粒子射出磁場時的速度方向垂直于直線NM。已知N點坐標(biāo)為（0、－L），（L為已知常數(shù)）

（1）求粒子從A點由靜止釋放，直到射出磁場所需的時間t；

（2）若將粒子從A點右側(cè)某位置釋放，粒子從圖中G點直接射出磁場，且與直線NM所成的角∠NGＤ為銳角；將粒子從A點左側(cè)某位置釋放，粒子從圖中C點直接射出磁場，且與直線NM所成的角∠NCＨ為鈍角，兩次射出時速度方向的反向延長線即圖中直線HC與DG的反向延長線的夾角為△θ，粒子兩次在磁場中運動的時間差為△t，求：的比值。