科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖甲所示，光滑水平面上的兩個(gè)物體A、B在運(yùn)動(dòng)中彼此間發(fā)生了相互作用，圖乙為A、B相互作用前后的速度一時(shí)間圖象，（　�。�

A．A、B的質(zhì)量之比為l：2

B．A、B的質(zhì)量之比為2：l

C．A、B作用前后的總動(dòng)能減小

D．A、B作用前后的總動(dòng)能不變

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科目：高中物理 來源：2008-2009學(xué)年江蘇省鎮(zhèn)江市高三（上）第二次調(diào)研物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖甲所示，光滑水平面上的兩個(gè)物體A、B在運(yùn)動(dòng)中彼此間發(fā)生了相互作用，圖乙為A、B相互作用前后的速度一時(shí)間圖象，（）

A．A、B的質(zhì)量之比為l：2
B．A、B的質(zhì)量之比為2：l
C．A、B作用前后的總動(dòng)能減小
D．A、B作用前后的總動(dòng)能不變

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖甲所示，光滑水平面上A、B兩點(diǎn)相距x_AB=13m，一個(gè)質(zhì)量m=1.0kg的小滑塊在水平推力的作用下沿水平面自左向右滑動(dòng)，所受水平推力按圖乙所示的規(guī)律變化，求：
（1）滑塊在t=3.0s末距A點(diǎn)的距離；
（2）滑塊到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度的大小．

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科目：高中物理 來源： 題型：解答題

如圖甲所示，光滑水平面上A、B兩點(diǎn)相距x_AB=13m，一個(gè)質(zhì)量m=1.0kg的小滑塊在水平推力的作用下沿水平面自左向右滑動(dòng)，所受水平推力按圖乙所示的規(guī)律變化，求：
（1）滑塊在t=3.0s末距A點(diǎn)的距離；
（2）滑塊到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度的大�。�

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科目：高中物理 來源：2009-2010學(xué)年北京市朝陽(yáng)區(qū)高一（上）期末物理試卷（解析版） 題型：解答題

如圖甲所示，光滑水平面上A、B兩點(diǎn)相距x_AB=13m，一個(gè)質(zhì)量m=1.0kg的小滑塊在水平推力的作用下沿水平面自左向右滑動(dòng)，所受水平推力按圖乙所示的規(guī)律變化，求：
（1）滑塊在t=3.0s末距A點(diǎn)的距離；
（2）滑塊到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度的大小．

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：問答題

如圖甲所示，光滑水平面上A、B兩點(diǎn)相距x_AB=13m，一個(gè)質(zhì)量m=1.0kg的小滑塊在水平推力的作用下沿水平面自左向右滑動(dòng)，所受水平推力按圖乙所示的規(guī)律變化，求：
（1）滑塊在t=3.0s末距A點(diǎn)的距離；
（2）滑塊到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度的大小．

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科目：高中物理 來源：2011年河南省五市高三第二次聯(lián)合考試?yán)砜凭C合物理試題 題型：單選題

如圖甲所示，光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框，錢框質(zhì)量為m，邊長(zhǎng)為a，總電阻為R．垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行，相距為b（b>3a）．線框的MN邊與磁場(chǎng)邊界平行．在垂直于MN的水平恒力F作用下線框水平向右運(yùn)動(dòng)，t＝0時(shí)MN邊以速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)，t＝t0時(shí)線框完全進(jìn)入磁場(chǎng)，t＝3t0時(shí)線框MN邊以速度v0離開磁場(chǎng)．v－t圖象如圖乙所示．

A．t＝0時(shí)，線框MN邊兩端電壓為Bav0

B．t0時(shí)刻線框的速度為（v0－2Ft0／m）

C．線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大

D．線框在開始進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的電熱為F（a＋b）

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科目：高中物理 來源：2011年河南省五市高三第二次聯(lián)合考試?yán)砜凭C合物理試題 題型：選擇題

如圖甲所示，光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框，錢框質(zhì)量為m，邊長(zhǎng)為a，總電阻為R．垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行，相距為b（b>3a）．線框的MN邊與磁場(chǎng)邊界平行．在垂直于MN的水平恒力F作用下線框水平向右運(yùn)動(dòng)，t＝0時(shí)MN邊以速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)，t＝t0時(shí)線框完全進(jìn)入磁場(chǎng)，t＝3t0時(shí)線框MN邊以速度v0離開磁場(chǎng)．v－t圖象如圖乙所示．

A．t＝0時(shí)，線框MN邊兩端電壓為Bav0

B．t0時(shí)刻線框的速度為（v0－2Ft0／m）

C．線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大

D．線框在開始進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的電熱為F（a＋b）

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖甲所示，光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框，錢框質(zhì)量為m，邊長(zhǎng)為a，總電阻為R．垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行，相距為b（b>3a）．線框的MN邊與磁場(chǎng)邊界平行．在垂直于MN的水平恒力F作用下線框水平向右運(yùn)動(dòng)，t＝0時(shí)MN邊以速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)，t＝t0時(shí)線框完全進(jìn)入磁場(chǎng)，t＝3t0時(shí)線框MN邊以速度v0離開磁場(chǎng)．v－t圖象如圖乙所示．

A．t＝0時(shí)，線框MN邊兩端電壓為Bav0

B．t0時(shí)刻線框的速度為（v0－2Ft0／m）

C．線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大

D．線框在開始進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的電熱為F（a＋b）

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖甲所示，光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框，錢框質(zhì)量為m，邊長(zhǎng)為a，總電阻為R．垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，磁場(chǎng)左、右邊界相互平行，相距為b（b＞3a）．線框的MN邊與磁場(chǎng)邊界平行．在垂直于MN的水平恒力F作用下線框水平向右運(yùn)動(dòng)，t=0時(shí)MN邊以速度v₀進(jìn)入磁場(chǎng)，t=t₀時(shí)線框完全進(jìn)入磁場(chǎng)，t=3t₀時(shí)線框MN邊以速度v₀離開磁場(chǎng)．v-t圖象如圖乙所示．（　�。�

A．t=0時(shí)，線框MN邊兩端電壓為Bav₀

B．t₀時(shí)刻線框的速度為（v₀-2Ft₀）/m

C．線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間速度一定比t₀時(shí)刻線框的速度大

D．線框在開始進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的電熱為F（a+b）

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