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21.(09年全國(guó)卷Ⅱ) 一玻璃磚橫截面如圖所示，其中ABC為直角三角形(AC邊末畫出)，AB為直角邊ABC=45°；ADC為一圓弧，其圓心在BC邊的中點(diǎn)。此玻璃的折射率為1.5。wwP為一貼近玻璃磚放置的、與AB垂直的光屏。若一束寬度與AB邊長(zhǎng)度相等的平行光從AB邊垂直射入玻璃磚，則

A. 從BC邊折射出束寬度與BC邊長(zhǎng)度相等的平行光

B. 屏上有一亮區(qū)，其寬度小于AB邊的長(zhǎng)度

C. 屏上有一亮區(qū)，其寬度等于AC邊的長(zhǎng)度

D. 當(dāng)屏向遠(yuǎn)離玻璃磚的方向平行移動(dòng)時(shí)，屏上亮區(qū)先逐漸變小然后逐漸變大

解析：本題考查光的折射和全反射.寬為AB的平行光進(jìn)入到玻璃中直接射到BC面,入射角為45^o>臨界角,ww所以在BC面上發(fā)生全反射仍然以寬度大小為AB長(zhǎng)度的豎直向下的平行光射到AC圓弧面上.根據(jù)幾何關(guān)系可得到在屏上的亮區(qū)寬度小于AB的長(zhǎng)度,B對(duì).D正確。

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15.(09年全國(guó)卷Ⅰ) 某物體左右兩側(cè)各有一豎直放置的平面鏡，兩平面鏡相互平行，物體距離左鏡4m，右鏡8m，如圖所示，物體在左鏡所成的像中從右向左數(shù)的第三個(gè)像與物體的距離是ww

A．24m　　　　　 B．32m　　　　　　 C．40m　　　　　　 D．48m

答案：B

解析：本題考查平面鏡成像.從右向左在左鏡中的第一個(gè)像是物體的像距離物體8cm,第二個(gè)像是物體在右鏡所成像的像, ww第3個(gè)像是第一個(gè)像在右鏡中的像在左鏡中的像距離物體為32cm.

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4.(09年廣東物理)硅光電池是利用光電效應(yīng)原理制成的器件。下列表述正確的是

A．硅光電池是把光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N裝置

B．硅光電池中吸收了光子能量的電子都能逸出

C．逸出的光電子的最大初動(dòng)能與入射光的頻率無關(guān)

D．任意頻率的光照射到硅光電池上都能產(chǎn)生光電效應(yīng)

答案：A

解析：硅光電池是把光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N裝置，A正確；是利用光電效應(yīng)原理制成的器件，依據(jù)光電效應(yīng)方程可見只有當(dāng)入射光子的頻率大于極限頻率時(shí)才可能發(fā)生光電效應(yīng)，B錯(cuò)誤，C錯(cuò)誤，D錯(cuò)誤。

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10．(09年上海物理)如圖為雙縫干涉的實(shí)驗(yàn)示意圖，若要使干涉條紋的間距變大可改用長(zhǎng)更___________(填長(zhǎng)、短)的單色光，或是使雙縫與光屏間的距離___________(填增大、減小)。

答案：長(zhǎng)，增大。

解析：依據(jù)雙縫干涉條紋間距規(guī)律，可知要使干涉條紋的間距變大，需要改用波長(zhǎng)更長(zhǎng)的單色光，ww應(yīng)將增大雙縫與屏之間的距離L。

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6．(09年上海物理)光電效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)論是：對(duì)于某種金屬

A．無論光強(qiáng)多強(qiáng)，ww只要光的頻率小于極限頻率就不能產(chǎn)生光電效應(yīng)　　

B．無論光的頻率多低，只要光照時(shí)間足夠長(zhǎng)就能產(chǎn)生光電效應(yīng)

C．超過極限頻率的入射光強(qiáng)度越弱，ww所產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能就越小

D．超過極限頻率的入射光頻率越高，所產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能就越大

答案：AD

解析：每種金屬都有它的極限頻率，只有入射光子的頻率大于極限頻率時(shí)，才會(huì)發(fā)生光電效應(yīng)，且入射光的強(qiáng)度越大則產(chǎn)生的光子數(shù)越多，光電流越強(qiáng)；由光電效應(yīng)方程，可知入射光子的頻率越大，產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能也越大，與入射光的強(qiáng)度無關(guān)，所以AD正確。